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无线电电子学
用Van der Pauw法研究硼重掺杂金刚石薄膜电学性质
以B2O3作掺杂剂,用热丝辅助化学气相沉积法成功合成了硼掺杂半导体金刚石薄膜.用VanderPauw法测量了掺硼金刚石薄膜的电阻率、霍耳迁移率以及载流子浓度随温度的变化关系.实验结果表明:杂质硼原子的激活能为0.078eV,室温迁移率为18cm2·V-1·s-1,远小于单晶金刚石的空穴迁移率.并根据实验结果对金刚石薄膜的导电机制、散射机制等作了分析.
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半导体学报
1997年08期
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