手机知网 App
24小时专家级知识服务
打 开
无线电电子学
InP系列多薄层异质结构材料光致发光谱温度特性的实验研究
本文报告了InP系列多薄层异质结构材料变温光致发光(PL)谱的正常及异常温度特性;观测到InGaAsP单层单量子阱室温下光致发光峰能却比10K下光致发光峰能高的实验事实.提出了外延层分为岛状、短程有序起始生长区、过渡区、多元均匀混晶区模型来解释PL谱低温下局部温度特性异常问题;认为PL谱反常温度特性与晶格弛豫有关.
2 51
手机阅读本文
下载APP 手机查看本文
半导体学报
1997年08期
相似文献
图书推荐
相关工具书

搜 索