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无线电电子学
借助硅片减薄重掺硅间隙氧含量低温(10K)红外测量
本文首次报道了一种新颖的重掺硅中间隙氧含量测量技术,通过硅片减薄并采用低温红外透射测量,明显降低了重掺硅自由载流子吸收的严重干扰,提高了红外吸收峰信噪比,在1136cm-1附近得到了明显的Si-O键红外吸收峰,从而可以准确地测量重掺硅间隙氧含量.实验结果表明:该测量方法具有很高的测量准确度和更宽泛的电阻率应用范围.对于重掺n型硅,其测量应用范围可扩展至电阻率1×10-2Ω·cm(自由载流子浓度高达4×1018cm-3).
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半导体学报
1997年08期
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