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无线电电子学
Si(1-x)Ge_x外延层结构参数的椭偏光谱表征技术研究
本文测量并分析了不同组分的Si1-xGex合金的椭偏光谱,得到了能量范围为2.0~5.0eV内的主要临界点的能量与Ge的组分的关系,给出用椭偏光谱分析Si1-xGex合金厚度和Ge组分的方法.
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半导体学报
1997年08期
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