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无线电电子学
Si衬底上用反应蒸发法制备AlN单晶薄膜
本文首次报道了在硅衬底上用反应蒸发法沉积AlN薄膜的技术.实验发现在衬底温度为470~850℃的范围内均可得到单晶薄膜,X射线衍射分析表明,薄膜只在2θ=58.9°处出现一个衍射峰,其生长晶面为(1120),是AlN的解理面.在较高的生长温度下,生长速率较低,得到的AlN薄膜具有更窄的衍射半峰宽(0.5°)、Al和N更趋向于化学计量比结合.从扫描电镜测试看出,薄膜表面平整光滑、无裂纹,说明用反应蒸发法外延生长的薄膜表面状况优良.最后,NH3对Si表面的原位清洗也作了一些讨论.
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半导体学报
1997年08期
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