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无线电电子学
在液氮温度下具有高增益的SiGe/SiHBT
本文分析了硅双极晶体管电流增益在低温下减小的原因.通过优化设计,研制出在液氮温度下具有高增益的SiGe/SiHBT,并分析了其工作机理.
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半导体学报
1997年05期
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