手机知网 App
24小时专家级知识服务
打 开
无线电电子学
气氛掺氮直拉硅单晶中氮关施主的光热电离光谱研究
以光热电离光谱方法指证了减压充氮气氛下生长的微氮直拉硅单晶中的氮关浅施主NRD(NitrogenRelatedDonor).确认NRD的形成温区为300~800℃,900℃以上退火将被不可逆消除.指出NRD可能有N-O复合体和氧凝聚态浅施主两种形式,各有不同的热处理行为.
2 26
手机阅读本文
下载APP 手机查看本文
半导体学报
1997年05期
相似文献
相关工具书
图书推荐

搜 索