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无线电电子学
应变Si_(1-x)Ge_x/Si异质结材料的GSMBE生长及X射线双晶衍射研究
用GSMBE(GasSourceMolecularBeamEpitaxy)技术在国内首次研究了应变Si1-xGex/Si异质结材料的生长.并用X射线双晶衍射技术对样品进行了测试分析.对于Si(0.91)Ge(0.09)和Si(0.86)Ge(0.14)单层,其半宽度FWHM分别为100”和202”;对于Si(0.89)Ge(0.11)/Si多量子阱,其卫星峰多达15个以上.三种样品中的GeSi外延层干涉条纹清晰可见.结果表明,用GSMBE技术生长的Si1-xGex/Si异质结材料具有很好的结晶质量以及陡峭的界面.
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半导体学报
1997年05期
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