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无线电电子学
硅基双色发光图形的研制
本文提出一种制作硅基发光图形的方法,利用SiO2作掩膜,通过C+离子选区注入,退火处理及电化学腐蚀,使样品的单晶区形成多孔硅红-绿色发光区,注C+区域形成多孔SiC的蓝光发射区域,构成双色发光图形.
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半导体学报
1997年05期
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