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无线电电子学
Si(111)碳化层中的SiC结晶
为采用HFCVD技术在Si(111)衬底上外延3C-SiC薄层而在Si表面首先进行碳化处理.实验样品用H2稀释的碳化物气氛进行碳化处理,热丝温度约为2000℃,衬底温度在950℃到1100℃之间.用X射线衍射、电子衍射和俄歇能谱等分析手段研究了碳化层的组分及结构,发现碳化层可由合碳硅结晶层、3C-SiC结晶层和富碳的3C-SiC结晶层组成.适当控制碳化条件可以调整3C-SiC结晶层的比例.
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半导体学报
1997年04期
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