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物理学
AlInGaAs/AlGaAs Strained Quantum Well Lasers Grown by Molecular Beam Epitaxy
1IntroductionStrainedInGaAs/AIGaAsquantumwelllasershavedemonstratedimprovedperformancecomparedwithlattice--matched,unstrainedGaAs/AIGaAsorAIGaAs/AIGaAsquantumwelllasersll'Zj,whichhasbeenattributedtomodificationsofthebandstructureduetothestrainednatureofIn
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半导体学报
1997年04期
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