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无线电电子学
多晶硅发射极晶体管的集电区补偿注入技术
本文提出了一种新的提高多晶硅发射极晶体管和电路速度的方法,通过对器件外基区下对应的外延层区域进行离子补偿注入,降低相应外延层中的净掺杂浓度,有效地减小了外基区-集电区单位面积的集电结电容,有利于器件和电路速度的提高.由于内基区下对应的外延层浓度不变,对器件的直流特性无不良影响.本文给出了补偿注入研究结果和器件特性.
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半导体学报
1997年04期
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