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无线电电子学
双向S型负阻器件的二维数值模拟方法及模拟结果分析
本文介绍了一种对双向S型负阻器件(BNRD)进行二维数值模拟的方法.并用此方法模拟得出了器件的Ⅰ-Ⅴ曲线及截止状态和导通状态下器件的内部电位分布、电子空穴浓度分布和电流密度分布.由此可以更清楚地了解器件的工作机理.此外还对不同结构、工艺参数的BNRD进行了模拟,总结出了器件结构、工艺参数对器件电学特性的影响关系.
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半导体学报
1997年04期
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