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无线电电子学
注F MOS器件的可靠性研究
对注FMOSFET和CC4007电路进行了60Co-γ辐照和退火行为的分析研究,结果表明:栅介质中F的引入,能明显减小CC4007电路辐射感生阈电压的漂移和静态漏电流的增长;抑制高温贮藏引起的CC4007电路漏电流的退化,减小辐射感生氧化物电荷和界面态在退火过程中的再生长速度.F-Si键的形成将减小MOS栅氧介质的电导率.
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半导体学报
1997年04期
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