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无线电电子学
超高电流增益多晶硅发射极BICFET的研制与特性
研制并测量了poly-Si(n+)/UTI/n-Si隧道结发射极双极反型沟道场效应晶体管(BICFET).发现在极低电流下,此器件的小信号电流增益(G)超过106.本文对此作出了新的解释.
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半导体学报
1997年04期
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