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无线电电子学
CO_2离化团束对Si基板表面的辐照效应
利用RBS和椭圆仪分析对CO2离化团束引起的硅表面的损伤进行了研究.实验发现,采用大尺寸团束照射,损伤程度小而且损伤层薄;团束尺寸越大,越容易形成低损伤的氧化层;随剂量增大,损伤部分发生氧化的比例增加,而且在单晶Si基板上经过极薄的过渡区形成氧化层.
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半导体学报
1997年04期
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