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无线电电子学
快速热氮化超薄SiO_2膜的氮分布和氮化机理的研究
用卤素钨灯作辐射热源,对超薄SiO2进行快速热氮化(RTN)制备了SiOxNy膜.研究了不同RTN条件下制备的SiOxNy样品的AES测量的氮纵向分布.研究结果表明,在较低的温度下(<900℃)氯化速率是缓慢的,而在界面处因应变键容易被打破,速率稍快可形成氮峰.当温度高于900℃时,氮化速率加剧,分别形成表面和界面两个氮峰.基于研究分析的结果,意图提出一种描述快速热氮化超薄SiO2的微观机理.
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半导体学报
1997年04期
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