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无线电电子学
Si(111)衬底上IBE法外延生长β-FeSi_2薄膜的研究
本文采用质量分析的低能离子束外延法(以下简称IBE法)在Si(111)衬底上外延生长了β-FeSi2薄膜,并进行了X射线衍射测量分析;与扫描电镜配合验证了β-FeSi2外延薄膜的形成.实验结果表明:所得β-FeSi2(101)或(110)面基本平行于Si(111)面,验证了Si(111)上β-FeSi2外延薄膜的形成;并对失配度做了精确的计算;薄膜形貌呈岛屿状分布,同时分析了生长条件对薄膜形貌的影响.
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半导体学报
1997年04期
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