手机知网 App
24小时专家级知识服务
打 开
无线电电子学
Fe掺杂Hg_(1-x)Cd_xTe材料的光谱与电学研究
利用红外光谱、光致发光光谱与Hall测量等手段,对Fe掺杂Hg1-xCdxTe体单晶样品进行实验,研究了Fe在Hg1-xCdxTe中的杂质行为,发现Fe掺杂在Hg1-xCdxTe中引入一个位于导带底下方约80meV的施主能级,并且发现掺杂HgCdTe中的Fe元素在低于180K温度下基本上不表现出电活性,但它能够起非辐射复合中心的作用,影响材料的非平衡载流子寿命,在积分光致发光强度的温度变化关系中明显地反映出来.
1 24
手机阅读本文
下载APP 手机查看本文
半导体学报
1997年04期
相似文献
图书推荐
相关工具书

搜 索