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无线电电子学
MOCVD GaInP材料生长过程热力学及其特性
本文通过MOCVDGaInP的生长速率,组分In的气相分配比与生长温度的关系,较强细地对GaInP生长过程中的热力学进行了研究,并研究了低温GaInP缓冲层对高温GaInP外延生长的影响,根据GaInP的组分.随生长温度的变化关系,生长出质量较好的短波长Ga0.65In0.35P材料.
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半导体学报
1997年04期
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