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无线电电子学
高纯外延GaAs中浅施主杂质的光热电离谱研究
利用光热电离谱技术研究了4.5K下高纯n-GaAs外延材料的远红外光电导响应借.给出CPE法和VPE法生长的高纯GaAs材料残留浅施主杂质分别是S、Sn和Sn、P等杂质.实验结果表明本所高纯GaAs组采用的LPE生长技术能有效抑制杂质St和Sn的沾污.
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半导体学报
1997年04期
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