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无线电电子学
HgCdTe材料汞空位浓度的计算
用热力学原理探讨了Hg-Cd-Te固气两相平衡体系中材料参数和系统状态参数间的相互关系,给出了定量描述这些相互关系的理认计算公式和计算方法,通过对现有热力学常数的分析和评价,得到了计算所需的热力学常数以及和组分相关的经验公式.计算结果揭示了不同状态下HgCdTe材料中汞空位及和其它点阵缺陷比较的情况.计算结果也给出了汞空位浓度为(5~10)×1015cm-3HgCdTe材料的P-T相图,这为红外焦平面器件所需的弱P型HgCdTe材料热处理工艺从理论上提供了参考依据.通过计算三相平衡线上空位浓度的分布,对汞空位在不同生长工艺的情况也有了进一步的认识.
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半导体学报
1997年04期
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