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无线电电子学
H处理对a-Si TFT矩阵性能的改善作用
在PECVD系统制备a-SiTFT矩阵工艺中采用氢射频等离子辉光放电产生的H,钝化SiNx表面的硅悬键,从而使a-So:H/SiNx界面态得到减小.由此制备出的a-SiTFT矩阵,其性能得到明显改善.
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半导体学报
1997年01期
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