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无线电电子学
不同制备工艺对SIMOX结构应力的影响
对不同制备工艺的SIMOX样品,用Raman散射法作了应力测量和比较.结果显示,在1300℃、6小时的退火条件下,整片单次注入/退火与三次注入/退火对样品的应力无明显影响,正面张应力都≤5×103N/cm2.且均匀分布,背面无应力.N2、N2+1%O2、Ar+0.5%O2等不同退火气氛对应力也无明显影响.局部注入会在SIMOX样品的顶层硅中产生较高的应力,且在高温长时间退火后背面衬底中还有应力存在.
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半导体学报
1997年01期
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