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无线电电子学
Si(100)上生长的CoSi_2薄膜的STM研究
在大气中用STM研究了固相反应生长的CoSi2薄膜表面.在Si(100)晶片上用离子束溅射淀积Co/Ti双层膜,经退火处理完成三元固相反应,生成TiN/CoSi2/Si膜,然后经H2SO4和H2O2溶液腐蚀去除TiN膜层得到均匀平整的厚度约为100nm的CoSi2薄膜.AES,XRD等分析表明所得CoSi2膜层是Si(100)衬底的外延生长膜.STM测量结果显示CoSi2薄膜表面结构致密平整,主要由交替出现的平台和台阶结构组成.平台的平均宽度为9nm,台阶高度为2个原子层厚度,分析表明这是由于Si衬底的晶面切割偏离(100)面引起的.平台表面呈平行台阶方向的相距约1.1nm的条状结构.在平台区域的局部表面观测到有序结构,其排列方向与条状突起方向间呈45°夹角.对CoSi2薄膜进行剥层腐蚀后再用STM观察其图象,结果表明CoSi2膜的纵向生长也是均匀的。
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半导体学报
1997年01期
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