手机知网 App
24小时专家级知识服务
打 开
无线电电子学
功率MOSFET反向特性的分析模拟
本文对功率MOSFET的反向特性进行了模拟,着重分析了N沟功率MOSFET体内集成二极管的独特的作用,并对P沟器件在特性模拟时由于PSPICE模型参数的限制而表现出来的误差进行了分析,提出了改善措施,并得到了与实际相符合的结论.
手机阅读本文
下载APP 手机查看本文
半导体学报
1997年01期
相似文献
图书推荐
相关工具书

搜 索