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无线电电子学
新结构MOS/晶闸管的器件机理与研制
本文提出了两种新结构MCT器件,通过器件模拟器PISCES-ⅡB对其关断机理进行了二维数值求解.采用自对准三重扩散工艺,成功地实现了两种新结构MCT器件,其电流关断能力分别达到114A/cm2和41A/cm2.
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半导体学报
1997年01期
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