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无线电电子学
Si非平面衬底上SiGe/Si量子阱的光致发光特性
采用一种晶向性腐蚀方法,在(100)Si平面衬底上腐蚀得到一种非平面结构,经SiGeMBE外延后,从SEM照片上可以看出,SiGe外延层是一种量子点、线和阱的混合结构.非平面结构上的SiGe层的发光强度为平面结构上的8~10倍.从SiGe层内发出的发光强度占样品总发光强度的96%,且m≈1.1的值表明外延层的质量及时载流子的收集效率是高的.随着激发功率的增加,可以看到PL谱的蓝移.
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半导体学报
1997年01期
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