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物理学
表面电场导致InGaAs/GaAs量子阱子带跃迁选择定则的改变
本文报道用MOCVD方法制作高质量的InGaAs/GaAs应变量子阱材料.单量子阱样品在室温光伏谱中出现清晰的11H、12H、21H和22H激子吸收峰.首次用室温光伏方法研究表面自建电场导致InGaAs/GaAs量子阱中子带间跃迁选择定则的改变.
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半导体学报
1997年01期
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