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无线电电子学
非晶硅中的硅氢键与光致亚稳缺陷
我们曾经提出:在a-Si∶H中光致亚稳缺陷的产生是由于Si-H键断裂,本文将进一步论述这种缺陷产生的可能微观机构,着重讨论微空洞在亚稳缺陷产生中的作用,并提出:光照不仅使悬键增多,同时也使Si-Si弱键增多的机构.
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半导体学报
1989年09期
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