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无线电电子学
0.3K下的GaAs/Al_xGa_(1-x)As异质结中的分数量子霍耳效应
本文从实验上比较了低浓度 GaAs/Al_xGa_(1-x)As异质结样品在4.2K、1.3K和0.34K 温度下的整数量子霍耳效应,报道了填充因子v=2/3的分数量子霍耳效应的实验观察结果.讨论了低浓度GaAs/Al_xGa_(1-x)As样品中宏观不均匀性对实验结果的影响.
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半导体学报
1988年01期

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