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无线电电子学
Cu-GaAs(110)界面的同步辐射光电子谱研究
本文用同步辐射光电子谱研究了在室温n型GaAs(110)解理面上蒸发淀积的Cu-GaAs(110)界面和肖特基势垒的形成.Ga3d和As3d光电子谱随Cu的厚度的变化表明:在小于0.5单原子层(ML)Cu时只观察到能带的刚性弯曲,并无明显的界面反应;在大于1MLCu时出现明显的界面反应,形成处于界面的金属Ga和处于Cu表面的As;Cu有岛状生长的迹象.由谱分解的结果确定了在3—60A Cu范围内界面费米能级的位置在导带底以下约0.9eV处.肖特基势垒在0.5MLCu时已大部分(~80%)形成,在3MLCu时就完全形成.讨论了Cu-GaAs(110)界面和肖特基势垒形成的机制.
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半导体学报
1988年01期

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