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无线电电子学
窄禁带半导体的P-N结的间接隧道电容
采用通过深能级杂质的间接隧道过程与热激发、俘获过程之间的细致平衡,推导出间接隧道过程所引起的电容的理论表达式.这一电容仅出现在零偏压附近,不是电压的单调上升函数,有极大值及负值出现.作了数值计算,所得 C-V曲线的形状与窄禁带 Hg_(1-x)Cd_xTe P-N结的实测的C-V曲线的形状相似.
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半导体学报
1988年01期

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