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无线电电子学
硅中间隙式4d过渡金属杂质的电子结构
本文用Xα-SW法研究硅中间隙式4d过渡金属杂质的电子结构.计算结果表明杂质在硅晶体的禁带中引起深能级.和硅中间隙式3d过渡金属杂质的电子结构相比较,我们得到以下两个重要结论:(1)硅中间隙式4d和3d过渡金属杂质性质有类似的化学趋势;(2)发现Pd杂质原子的4d电子态受到周围晶体场作用所产生的位于价带中的成键态dt_2和de(价带中的共振态)有异常大的能量差,即受到很大晶格场劈裂.
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半导体学报
1988年01期

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