手机知网 App
24小时专家级知识服务
打 开
无线电电子学
二维短沟道MOSFET直流稳态与衬底电流的数值模拟
本文介绍一种新的采用载流子总量方法分析短沟道MOSFET直流稳态特性的数值模型。使用专用模拟程序 LADES1-A (Lisban Advance Device Simulation Version no.1-A)联解器件内部二维泊松方程、电子和空穴的连续性方程.LADES1-A可用于设计和预测不同工艺条件、几何结构对器件性能的影响.设计者通过分析器件内部二维电流密度、电场强度等分布,得到直观的短沟道效应的物理图象,以便采取适当措施减小短沟道效应.为了介绍本模拟软件的用途,本文给出部分模拟结果,并着重讨论了热载流子效应产生的衬底电流及非平衡载流子的产生-复合率的分布.
1 23
手机阅读本文
下载APP 手机查看本文
半导体学报
1988年01期

搜 索