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无线电电子学
固态彩色摄象器的硅衬底结构
本文提出了一种低噪声MOS型彩色摄象器的硅衬底结构。在p阱上制作的光敏二极管抑制了由于杂散红光、红外灵敏度、象晕和拖影现象引起的噪声,并且通过最佳的三步内吸杂和一种新的多次离子注入法减少了缺陷密度。这些缺陷包括:由液封直拉法生长的硅衬底内固有的缺陷核产生的缺陷和低电阻率的p阱层进行高剂量的硼离子注入产生的缺陷。
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半导体情报
1986年06期
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