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无线电电子学
GaAlAs-GaAs双异质结双极晶体管的直流特性分析
为了定量地估计界面参数的影响,对GaAlAs-GaAs双异质结双极晶体管(DHBT)的电学性能进行了理论和实验的研究。采用数字模拟结果以及一个分析模型来提供有助于DHBT设计的精确模型。使用金属有机化学汽相外延(MOCVD)生长的DHBT所获得的实验结果与这样的模型是一致的。通过异质结处的组份分布和掺杂分布渐次变化证实有很高的电流增益(高达5500)。用扩散外延工艺已制作出DHBT,在30mV下,反向电流增益接近于直流增益,且偏差电压低。对于高速叉指集成电路应用来说这种图形是非常有希望的。
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半导体情报
1986年06期
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