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无线电电子学
化合物半导体器件重要用语选集(三)
 
<正> 金属有机物化学汽相淀积(Metal Organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD) 它作为生长GaAs晶体的大量生产技术,从十几年前就开始研究了,近年来在生长异质结用的晶体方面,研究活动更为活跃。生长Ⅲ-Ⅴ族化合物,可采用Ⅲ族金属元素的有机物(三甲基镓等)和Ⅴ族元素的氢化物(砷烷等)气体的热分解反应。目前正研究比较它与MBE的优缺点。一般认为优于MBE的地方是:(1)可以用控制气体流量的方法来控制组成和杂质的掺杂量;(2)可采用比较简单而廉价的装置;(3)生长速度快、操作时间短等。这些都是适于大量生产的条件。本方法还有其他名
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半导体情报
1986年04期
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