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无线电电子学
注Si~+的GaAs在GaAs粉末的砷气压下快速热退火
用卤素灯在砷气压下对注Si~+的GaAs进行快速热退火,以研究退火温度和退火时间对薄层载流子浓度和迁移率的影响。注入层的激活率主要受退火温度的影响,与退火的持续时间几乎无关。在800℃退火30分钟,GaAs的表面形态是平滑的,这表明了砷气压的存在防止了砷原子的蒸发,并使注入层能在高温下长时间退火而不会出现表面离解和电性能的下降。在GaAs中注入Si~+的激活能为0.53eV。
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半导体情报
1986年04期
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