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无线电电子学
退火温度对MOS结构中可动离子密度的影响
在500~1000℃的温度范围内,把经热生长二氧化硅膜的单晶硅片置干氮中退火,然后用电子束蒸铝制成MOS结构。用三角波电压扫描法(TVS)测量可动离子密度(N_m),发现N_m的最大值出现在600~800℃的退火温度之间。用HF溶液腐蚀炉管可减小N_m和退火温度对N_m的影响。改变退火时间(30和120min)和气氛(O_2,O_2+2%C_2H_3Cl_3),N_m没有明显变化。双重温度退火的实验表明:铝金属化前的最后一次退火决定可动离子沾污水平。提出了一个定性的平衡模型来解释我们的实验结果。
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半导体情报
1986年04期
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