手机知网 App
24小时专家级知识服务
打 开
无线电电子学
基区重掺杂的高电流增益AlGaAs/GaAs异质结双极晶体管
研究了AlGaAs/GaAs异质结双极晶体管(HBT)的电流增益和AlGaAs/GaAs异质结二极管(HD)的发光强度随偏压的变化。HBT的发射板-基极结的理想因子接近于1,这与HD中发光强度随偏压的变化关系相一致。重掺杂基区HBT电流增益的降低被认为是基区中非辐射复合电流所引起。在基区掺杂为2×10~(10)cm~(-3)的HBT中得到80的高电流增益。
0 24
手机阅读本文
下载APP 手机查看本文
半导体情报
1986年04期
相似文献
图书推荐
相关工具书

搜 索