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无线电电子学
X波段功率GaAs双栅MESFET的设计与制造
本文叙述微波功率双栅MES FET的设计与制造。介绍了实验结果。器件微波性能已达到10GHz下输出功率188mW,相应增益达9.7dB。用已定型的器件产品组成单级可变增益放大器,在9.952GHz下,输出功率大于100mW,相应增益达8dB,增益控制范围达30dB以上。
领 域:
关键词:
MESFET
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半导体情报
1986年04期
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