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无线电电子学
化合物半导体重要用语选集(二)
 
<正> 短沟效应(short Channel Effect) 在MESFET中,随着栅长的缩短,阈值电压(V_(th))向负方向漂移的现象,称之为短沟效应。其原因本质上是由于栅长(L_G)和有源层厚度(α)比的减少(L/α<5)引起的形状效应,而在实际的器件中,例如在用选择离子注入形成源漏n_-~+层的FET中,则是由下述问题引起的:①由注入离子的横向扩散(注入和退火时)引起的有效载流子密度的增大;②流经n_-~+-i-n_-~+的衬底泄漏电流(空间电荷限制电流)。作为抑制这种现象的方法有:①采用载流子密度大而且又薄的有源层,由此减少形状效果的影响,同时又能降低n~+扩散的影响,②采用短时间退火方法,用以防止退火时注入
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半导体情报
1986年03期
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