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自动化技术
X波段GaAsMESFET单片功率放大器
本文利用MESFET的小信号S参数,结合大信号下S参数的一些特点,根据由计算机分析得到的S参数随器件模型中一些元件值变化的趋势,适当修正了小信号器件模型,在此基础上,设计与分析了X波段单片单级功率放大器。有源器件总栅宽为360μm,栅长为1μm。放大器在9.53GHz下获得1dB压缩功率为55mW,线性增益为6.0dB。电路芯片面积为1.8×1.8mm~2。
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半导体情报
1986年03期
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