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无线电电子学
用质量迁移方法研制1.3μm低阈值单基横模半导体激光器
本文对H_2加PH_3气氛中InP的迁移规律进行了探讨研究。结果表明,迁移区宽度随有源区厚度的减小、时间的增长及温度的升高而增大;随PH_3量的增大,迁移区宽度有从上升到饱和再下降的趋势。采用H_2加PH_3气氛中的迁移方法,制作了1.3μm InGaAsP/InP半导体激光器。在20℃,CW工作下,所得最低闽值电流为30mA。单面微分量子效率可达30%,直到2倍阈值,获得了稳定的单基横模工作,平行于p_n结面上远场分布的光束角θ_(11)=18°,到1.74倍闽值仍保持单纵模工作。
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半导体情报
1986年03期
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