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无线电电子学
硅离子注入SI-GaAs的快速热退火
使用高频感应加热的石墨作为红外热辐射源研究了SI-GaAs中Si注入的快速热退火(RTA)。对快速热退火在缺陷消除方面较常规退火具有的优点进行了讨论。在900~1050℃退火温度范围内,RTA的激活率随温度增加而增加,高剂量时RTA的激活率比SiO_2包封常规退火的高一倍多,载流子浓度可达1.5×10~(18)cm~(-3)。采用Si两次注入获得了性能优良的薄层掺杂材料。这种材料用于器件制造取得了很好的使用结果。
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半导体情报
1986年03期
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