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无线电电子学
适于纳米探针电性能测试的SRAM样品制备方法
在先进制程静态随机存储器(SRAM)单比特失效的分析过程中,SRAM样品制备是关键,传统研磨方法制备的样品其表面容易出现钨栓缺失的问题。利用离子精密刻蚀仪制备用于纳米探针电性能测试的SRAM样品。通过刻蚀仪改变刻蚀能量和刻蚀角度来制备样品,再对样品进行纳米探针电性能测试并根据测试结果得到最佳刻蚀参数。在此参数下制备的样品,其表面形貌完好并无钨栓缺失,且测得的晶体管特性曲线与传统方法制备的样品测得的晶体管特性曲线相匹配。实验结果表明,此方法可替代传统样品制备方法,并能有效提高失效分析的成功率。
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半导体技术
2020年05期

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