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无线电电子学
基于GaN HEMT的宽带线性功率放大器
基于GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)技术,研制了一款工作频率为0.8~1.5 GHz、线性输出功率超过100 W的宽带线性功率放大器。前级功率放大器采用负反馈电路,以提高工作频率带宽和级间匹配性。为改善输出功率的线性化指标,输出级功率放大器采用平衡式电路进行功率合成和匹配,平衡式电路利用90°混合耦合器实现。电路的仿真和优化采用S参数法进行宽带匹配设计。测试结果表明:在0.8~1.5 GHz工作频率内,放大器小信号增益平坦度小于1.3 dB;1 dB增益压缩点输出功率大于100 W,三阶互调失真大于29 dBc,功率附加效率大于40%,实现了宽带、高功率、高效率、高线性度的设计目标。
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半导体技术
2020年03期

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