三维阻变存储器的研究进展-半导体技术2020年03期-手机知网

三维阻变存储器的研究进展

厦门理工学院光电与通信工程学院 | 高代法王晓荃王悦

在我国信息产业高速发展的今天,传统存储器难以满足目前的数据存储需求,亟需发展新一代高性能存储器。阻变存储器(RRAM)因其具有结构简单、功耗低、集成密度高、读/写速度快等优势,被认为是最具发展潜力的新兴存储器之一。综述了三维RRAM的发展现状,分析了现阶段三维RRAM面临的漏电流、热串扰、均一性、可靠性等问题,重点探讨了针对以上问题的解决方案,并对于RRAM未来的应用前景进行了分析和预测,认为其在替代传统存储器、神经网络计算、芯片加密防护等方面有重要的应用前景。

机　构:

厦门理工学院光电与通信工程学院;

领　域:

计算机硬件技术；

关键词:

三维阻变存储器(3D-RRAM)；漏电流；热串扰；均一性；可靠性；

格　式:

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