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物理学
ECLD激光器三种模型的双稳特性比较
为了研究频率偏离增益峰值时光栅外腔半导体激光器的双稳特性,对比了以前研究双稳态的原简化模型和近期建立的H参量简化模型、H参量模型所得的双稳环环宽及其存在的条件;采用数值计算和模拟的方法,讨论了三种模型在不同剩余反射率下的双稳环环宽与频率的关系,将H参量简化模型、H参量模型在相同模式中环宽随剩余反射率的变化曲线进行了比较。结果表明,三种模型在增益峰值处的双稳特性相同,第一种模型只能反映增益峰值处的双稳特性,后两种模型能够展示调谐范围内的双稳特性,但在增益峰值两侧新的两种模型的双稳特性有很大的差异,所以在研究ECLD的双稳特性时考虑双稳环随H参量的变化而倾斜十分必要。
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半导体技术
2009年07期
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